گسیل میدانی الکترون

گسیل میدانی الکترون (به انگلیسی: Field electron emission) عبارت است از گسیل الکترون از سطح یک فلز در حضور میدان الکتریکی خارجی.

مطالعه بیشتر

اطلاعات عمومی

W. Zhu, ed. (2001). Vacuum Microelectronics. Wiley, New York.
G.N. Fursey (2005). Field Emission in Vacuum Microelectronics. Kluwer Academic, New York. ISBN 0-306-47450-6.

نفوذ به میدان و خم شدن نوار (نیم‌رسانا)

Seiwatz, Ruth; Green, Mino (1958). "Space Charge Calculations for Semiconductors". Journal of Applied Physics. 29 (7): 1034. Bibcode:1958JAP....29.1034S. doi:10.1063/1.1723358.
A. Many, Y. Goldstein, and N.B. Grover, Semiconductor Surfaces (North Holland, Amsterdam, 1965).
W. Mönsch, Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1995).
Peng, Jie; Li, Zhibing; He, Chunshan; Chen, Guihua; Wang, Weiliang; Deng, Shaozhi; Xu, Ningsheng; Zheng, Xiao; Chen, GuanHua; Edgcombe, Chris J.; Forbes, Richard G. (2008). "The roles of apex dipoles and field penetration in the physics of charged, field emitting, single-walled carbon nanotubes". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. 104 (1): 014310. arXiv:cond-mat/0612600. doi:10.1063/1.2946449. ISSN 0021-8979.

میدان گسیلیده بار-فضایی خلاء

Barbour, J. P.; Dolan, W. W.; Trolan, J. K.; Martin, E. E.; Dyke, W. P. (1953). "Space-Charge Effects in Field Emission". Physical Review. 92 (1): 45–51. Bibcode:1953PhRv...92...45B. doi:10.1103/PhysRev.92.45.

گسیل میدان در دمای بالا و گسیل میدان-نوری

Jensen, Kevin (2007). Electron emission physics. Advances in Imaging and Electron Physics. Vol. 149. San Diego: Academic Press. ISBN 978-0-12-374207-0. OCLC 647688316.

گسیل الکترون‌های پکشی میدان-القاء‌شده