مدل دیل-گروو

مدل دیل-گروو از نظر ریاضی رشد یک لایه اکسید در سطح یک ماده را توصیف می‌کند. به طور خاص، از آن برای پیش بینی و تفسیر اکسایش حرارتی سیلیکون در ساخت ادوات نیم‌رسانا استفاده می‌شود.^[۱] این مدل برای اولین بار در سال ۱۹۶۵ توسط بروس دیل و اندرو گروو از فرچایلد سمیکانداکتر منتشر شد، ^[۲] کار بروی غیرفعال‌سازی سطح سیلیکون محمد عطاالله با استفاده از اکسایش حرارتی در آزمایشگاه‌های بل در اواخر دهه ۵۰ ساخته شد.^[۳] این به عنوان گامی در توسعه ادوات سیماس و ساخت مدارهای مجتمع بکار رفته است .

فرضیات فیزیکی

سه پدیده اکسیداسیون ، همانطور که در متن مقاله آمده است

این مدل فرض می‌کند که واکنش اکسیایش در واسط بین لایه اکسید و ماده زیرلایه بیشتر از حدِ بین اکسید و گاز محیط رخ می‌دهد.^[۱] بنابراین، سه پدیده که گونه‌های اکسیدکننده در معرض آن قرار دارند را در نظر می‌گیرد:

واپخشی از انباشتن گاز محیط به سطح.
واپخشی از طریق لایه اکسید موجود به رابط اکسید-زیرلایه.
واکنش با زیرلایه.

منابع

↑ ^۱٫۰ ^۱٫۱ Liu, M.; Peng, J.; et al. (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.
↑ Deal, B. E.; A. S. Grove (December 1965). "General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon". Journal of Applied Physics. 36 (12): 3770–3778. doi:10.1063/1.1713945.
↑ Yablonovitch, E. (20 October 1989). "The Chemistry of Solid-State Electronics" (PDF). Science. 246 (4928): 347–351. doi:10.1126/science.246.4928.347. ISSN 0036-8075. Beginning in the mid-1950s, Atalla et al. began work on the thermal oxidation of Si. The oxidation recipe was gradually perfected by Deal, Grove, and many others.

کتابشناسی - فهرست کتب

Massoud, H. Z.; J.D. Plummer (1985). "Thermal oxidation of silicon in dry oxygen: Accurate determination of the kinetic rate constants". Journal of the Electrochemical Society. 132 (11): 2693–2700. doi:10.1149/1.2113649.
Jaeger, Richard C. (2002). "Thermal Oxidation of Silicon". Introduction to Microelectronic Fabrication (2nd ed.). Upper Saddle River: Prentice Hall. ISBN 0-201-44494-1.
Deal, B. E.; A. S. Grove (December 1965). "General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon". Journal of Applied Physics. 36 (12): 3770–3778. doi:10.1063/1.1713945.

پیوند به بیرون

ماشین‌حساب برخط شامل فشار، آلایش و اثرات اکسید نازک

[slo-1] ۱٫۰ ^۱٫۱ Liu, M.; Peng, J.; et al. (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.

[2] Deal, B. E.; A. S. Grove (December 1965). "General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon". Journal of Applied Physics. 36 (12): 3770–3778. doi:10.1063/1.1713945.

[3] Yablonovitch, E. (20 October 1989). "The Chemistry of Solid-State Electronics" (PDF). Science. 246 (4928): 347–351. doi:10.1126/science.246.4928.347. ISSN 0036-8075. Beginning in the mid-1950s, Atalla et al. began work on the thermal oxidation of Si. The oxidation recipe was gradually perfected by Deal, Grove, and many others.

[۱]

[۲]

[۳]