اتصال بیس مشترک

یک مدار سادهٔ ترانزیستوری که در آن یک ترانزیستور npn به صورت اتصال بیس مشترک بسته شده است. (جزئیات بایاس نشان داده نشده‌اند)

در الکترونیک، تقویت‌کننده بیس مشترک (به انگلیسی: common-base) (همچنین به‌عنوان بیس زمین‌شده (به انگلیسی: grounded-base) شناخته می‌شود) یکی از سه توپولوژی اصلی تقویت‌کننده ترانزیستور پیوند دوقطبی تک‌طبقه (BJT) است که معمولاً به عنوان بافر جریان یا تقویت‌کننده ولتاژ استفاده می‌شود. در این مدار پایانه امیتر ترانزیستور به عنوان ورودی، کلکتور به عنوان خروجی عمل می‌کند و بیس به زمین یا «مشترک» متصل می‌شود، از این رو نام آن است. مدار ترانزیستور اثر میدان مشابه تقویت‌کننده گیت مشترک است.

از این نوع اتصال عموماً برای تقویت ولتاژ یا تقویت‌کننده بافر جریان استفاده می‌شود.

مشخصات

	تعریف	مقدار	مقدار تقریبی	شرایط تقریب
بهره ولتاژ مدار باز	${A_{v}}={\begin{matrix}{v_{\mathrm {o} } \over v_{\mathrm {i} }}\end{matrix}}{\Big |}_{R_{L}=\infty }$	${\begin{matrix}{\frac {(g_{m}r_{\mathrm {o} }+1)R_{C}}{R_{C}+r_{o}}}\end{matrix}}$	${\begin{matrix}g_{m}R_{C}\end{matrix}}$	$r_{o}\gg R_{C}$
بهره جریان اتصال کوتاه	$A_{i}={\begin{matrix}{i_{\mathrm {o} } \over i_{\mathrm {i} }}\end{matrix}}{\Big |}_{R_{L}=0}$	${\begin{matrix}{\frac {r_{\pi }+\beta r_{o}}{r_{\pi }+(\beta +1)r_{o}}}\end{matrix}}{\begin{matrix}\end{matrix}}$	$1$	$\beta \gg 1$
مقاومت ورودی	$R_{\mathrm {in} }={\begin{matrix}{\frac {v_{i}}{i_{i}}}\end{matrix}}$	${\begin{matrix}{\frac {(r_{o}+R_{C}\|R_{L})r_{E}}{r_{o}+r_{E}+{\frac {R_{C}\|R_{L}}{\beta +1}}}}\end{matrix}}$	$r_{E}\left(\approx {\frac {1}{g_{m}}}\right)$	$r_{o}\gg R_{C}\|R_{L}\ \ \left(\beta \gg 1\right)$
مقاومت خروجی	$R_{\mathrm {out} }={\begin{matrix}{\frac {v_{o}}{-i_{o}}}\end{matrix}}{\Big |}_{v_{s}=0}$	$R_{C}\|\{[1+g_{m}(r_{\pi }\|R_{S})]r_{o}+(r_{\pi }\|R_{S})\}$	$R_{C}||r_{o}$ $R_{C}||\left[(r_{\pi }||R_{S})(1+g_{m}r_{o})\right]$	$\ \ R_{S}\ll r_{E}$$\ \ R_{S}\gg r_{E}$

البته باید توجه داشت که این مشخصات در محدودهٔ خاصی از فرکانس سیگنال برقرار است.

جستارهای وابسته

• امیتر مشترک
• کلکتور مشترک
• درین مشترک
• سورس مشترک
• گیت مشترک
• ترانزیستور اثرمیدانی
• ترانزیستور BJT

منابع

• Razavi، Behzad. Fundamentals of Microelectronics.
• Sedra-Smith. Microelectronic Circuits.

پیوند به بیرون

• Basic BJT Amplifier Configurations
• NPN Common Base Amplifier
• ECE 327: Transistor Basics — مثال‌هایی از اتصال بیس مشترک با توضیحات ارائه شده است.