پرش به محتوا

یان چکرالسکی

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
یان چُکرالسکی
یان چُکرالسکی حدود 1910
زادهٔ۲۳ اکتبر ۱۸۸۵
اکسین، امپراتوری آلمان
درگذشت۲۲ آوریل ۱۹۵۳ (۶۷ سال)
پوزنان، لهستان
ملیت لهستانی
شهروندیلهستانی و آلمانی
محل تحصیلپلی تکنیک شارلوتنبورگ در برلین
شناخته‌شده برایفرایند چکرالسکی
همسر(ها)مارگریت هاسه
پیشینه علمی
شاخه(ها)شیمی، متالورژی
محل کاردانشگاه صنعتی ورشو

یان چُکرالِسکی (‎/ˈjæn ɒxˈrɑːlski/‎ YAN chokh-RAHL-skee، تلفظ لهستانی: [ˈjan t͡ʂɔˈxralskʲi]؛ 23 اکتبر 1885 - 22 آوریل 1953) یک شیمیدان لهستانی بود که فرایند چکرالسکی را اختراع کرد، که برای رشد تک بلورها و تولید ویفرهای نیم‌رسانا استفاده می‌شود. هنوز هم در بیش از 90 درصد از کل الکترونیک در جهان که از نیم‌رساناها استفاده می‌کنند، استفاده می‌شود.[۱] وی بیشترین استناد به محقق لهستانی است.[۲]

انتشارات[ویرایش]

  • Moderne Metallkunde در Theorie und Praxis , J. Czochralski، چاپ شده توسط اسپرینگر، برلین، ۱۹۲۴.

جستارهای وابسته[ویرایش]

منابع[ویرایش]

  1. "Scientist who laid the foundations for Silicon Valley honoured at long last". Retrieved 18 November 2019.
  2. Pajaczkowska, Anna (June 2001). "Professor Dr. Jan Czochralski - An Inventor". Newsletter of the German Association for Crystal Growth (به انگلیسی). Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (73): 30. ISSN 2193-3758. Archived from the original on 2012-07-08. Retrieved 22 November 2012.

پیوند به بیرون[ویرایش]