فارسی: یک نقشه شماتیک از سیستم تحت بررسی، با دو کنتاکت فلزی (مخزن چپ و راست)، یک مولکول در (سطح الکترونیکی پل) و یک ولتاژ اعمال شده بین دو کنتاکت است. حد پهنای باند برای هر دو کنتاکت در نظر گرفته شده است.
سمت چپ : الکترون های درحال حرکت، انرژی کافی برای ایجاد یک ارتعاش را ندارند. فقط تونلزنی می تواند انجام شود.
وسط : هنگام افزایش ولتاژ بایاس فراتر از V=E/e (که e بار الکترونیکی است)، الکترونهای در حال حرکت انرژی کافی برای ایجاد یک ارتعاش با انرژی E دارند. تونلزنی غیرکشسانی میتواند رخ دهد.
راست : الکترونهای مسافر همچنین میتوانند ارتعاشی را تحریک کرده و متعاقباً دوباره جذب کنند، که منجر به تونلزنی مرتبه دوم میشود.
برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
تلفیق کردن – برای انطباق اثر
تحت شرایط زیر:
انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شدهاند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوهای که پیشنهاد میکند که مجوزدهنده از شما یا استفادهتان حمایت کند.
انتشار مشابه – اگر این اثر را تلفیق یا تبدیل میکنید، یا بر پایه آن اثری دیگر خلق میکنید، میبایست مشارکتهای خود را تحت مجوز same or compatible license|یکسان یا مشابه با اصل آن توزیع کنید.
این پرونده حاوی اطلاعات اضافهای است که احتمالاً دوربین دیجیتال یا پویشگری که در ایجاد یا دیجیتالی کردن آن به کار رفته آن را افزوده است. اگر پرونده از وضعیت ابتداییاش تغییر داده شده باشد آنگاه ممکن است شرح و تفصیلات موجود اطلاعات تصویر را تماماً بازتاب ندهد.