پرش به محتوا

پرونده:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png

محتوای صفحه در زبان‌های دیگر پشتیبانی نمی‌شود
از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد

Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png (۷۶۸ × ۵۷۶ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۶۵۰ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/png)

این تصویر از ویکی‌انبار است.

خلاصه

توضیح

Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111

  • Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations.
  • Author: Twisp
  • Date: 24.08.2005
تاریخ ‏۱۳ سپتامبر ۲۰۰۵‏ (تاریخ اصلی بارگذاری)
منبع No machine-readable source provided. Own work assumed (based on copyright claims).
پدیدآور No machine-readable author provided. Twisp assumed (based on copyright claims).

اجازه‌نامه

Public domain من، دارنده حق تکثیر این اثر، این اثر را به مالکیت عمومی منتشر می‌کنم. این قابل اجرا در تمام نقاط جهان است.
در برخی از کشورها ممکن است به صورت قانونی این امکان‌پذیر نباشد؛ اگر چنین است:
من اجازهٔ استفاده از این اثر را برای هر مقصودی، بدون هیچ‌گونه شرایطی می‌دهم، تا وقتی که این شرایط توسط قانون مستلزم نشده باشد.

عنوان

شرحی یک‌خطی از محتوای این فایل اضافه کنید

آیتم‌هایی که در این پرونده نمایش داده شده‌اند

توصیف‌ها

تاریخ ساخت / تأسیس

۱۳ سپتامبر 2005

تاریخچهٔ پرونده

روی تاریخ/زمان‌ها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.

تاریخ/زمانبندانگشتیابعادکاربرتوضیح
کنونی۱۳ سپتامبر ۲۰۰۵، ساعت ۰۰:۱۵تصویر بندانگشتی از نسخهٔ مورخ ۱۳ سپتامبر ۲۰۰۵، ساعت ۰۰:۱۵۷۶۸ در ۵۷۶ (۶۵۰ کیلوبایت)Twisp* Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho

صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده می‌کند:

کاربرد سراسری پرونده

ویکی‌های دیگر زیر از این پرونده استفاده می‌کنند:

برگرفته از «https://fa.wikipedia.org/wiki/پرونده:Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png»